Новая технология ReRAM сделает флеш-диски в 100 раз быстрее.

Учёными из Лондона была создана новая микросхема памяти из чистого кремния на основе оксида кремния под названием "Resistive RAM", которая открывает возможность достижения сверхбыстрых скоростей — более чем в 100 раз по сравнению со стандартными микросхемами flash-памяти.

Резистивная микросхема памяти RAM (или ReRAM) создана на основе материалов, чаще всего оксидов металлов, электрическое сопротивление которых изменяется при воздействии напряжения, и они "запоминают" эти изменения даже при выключенном питании. Новые микросхемы ReRAM обещают значительно увеличить емкость памяти по сравнению с современными технологиями, такими как flash-память, используемая на USB-накопителях, а также занимают меньше места и потребляют меньше энергии.

В отличие от современных микросхем из диоксида кремния, новому чипу для работы не требуется вакуум, но при этом он потенциально дешевле и надежнее. Эта разработка также открывает возможность создания прозрачных микросхем памяти для сенсорных экранов и мобильных устройств.